Сотрудники Физического института им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН) разработали способ получения тончайших графитизированных слоёв в алмазе. Эта разработка открывает реальную перспективу создания элементов электроники и оптоэлектроники на основе алмазов.

Основу электродов планарной линейки, предназначенной для детектирования ультрафиолетового и рентгеновского излучения, составляет тонкий графитизированный слой, сформированный в алмазе на глубине 0,5 мкм (зелёная интерференционная окраска).

До сих пор основные материалы электроники — это кремний, германий, арсенид галлия и т.п. Одним из перспективных «электронных» материалов может стать и алмаз. Его преимущества — способность работать в жёстких условиях эксплуатации: при высоких температуре и уровне радиации, в агрессивных химических средах...

№7, 2010